graphene နှင့်ဆင်တူသော MXenes သည် တိုက်တေနီယမ်၊ အလူမီနီယမ်နှင့် ကာဗွန်အက်တမ်အလွှာများဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားသည့် သတ္တုကာဗိုက်နှစ်ဘက်မြင်ပစ္စည်းဖြစ်ပြီး၊ တစ်ခုစီသည် ၎င်း၏ကိုယ်ပိုင်တည်ငြိမ်သောဖွဲ့စည်းပုံရှိပြီး အလွှာများကြားတွင် အလွယ်တကူရွေ့လျားနိုင်သည်။2021 ခုနှစ် မတ်လတွင် Missouri State University of Science and Technology နှင့် Argonne National Laboratory တို့သည် MXenes ပစ္စည်းများအပေါ် သုတေသနပြုခဲ့ပြီး လွန်ကဲသောပတ်ဝန်းကျင်များတွင် ဤပစ္စည်း၏ ဝတ်ဆင်မှုနှင့် ချောဆီဂုဏ်သတ္တိများသည် သမားရိုးကျဆီအခြေခံသောချောဆီများထက် ပိုမိုကောင်းမွန်ကြောင်း တွေ့ရှိခဲ့ပြီး၊ Perseverance ကဲ့သို့ အနာဂါတ်ပလေယာများတွင် ဝတ်ဆင်မှုကို လျှော့ချရန် "စူပါချောဆီ"။
သုတေသီများသည် အာကာသပတ်ဝန်းကျင်ကို အတုယူကာ ပွတ်တိုက်မှုစမ်းသပ်မှုများတွင် သံမဏိဘောလုံးနှင့် "superlubricated state" တွင် ဖြစ်ပေါ်လာသော MXene မျက်နှာပြင်၏ ပွတ်တိုက်မှုကိန်းဂဏန်းသည် 0.0067 မှ 0.0017 အထိ နည်းပါးနေကြောင်း တွေ့ရှိခဲ့သည်။MXene တွင် graphene ကို ထည့်လိုက်သောအခါ ပိုမိုကောင်းမွန်သော ရလဒ်များ ရရှိခဲ့သည်။graphene သည် ပွတ်တိုက်မှုကို ၃၇.၃% ပိုမိုလျှော့ချနိုင်ပြီး MXene superlubrication ဂုဏ်သတ္တိများကို မထိခိုက်စေဘဲ အချက် 2 ဖြင့် ဝတ်ဆင်မှုကို လျှော့ချနိုင်သည်။MXenes ပစ္စည်းများသည် အပူချိန်မြင့်မားသောပတ်ဝန်းကျင်နှင့် ကောင်းစွာလိုက်လျောညီထွေဖြစ်ပြီး လွန်ကဲသောပတ်ဝန်းကျင်များတွင် ချောဆီများကို အနာဂတ်တွင်အသုံးပြုရန်အတွက် တံခါးအသစ်များဖွင့်လှစ်ပေးသည်။
အမေရိကန်နိုင်ငံတွင် ပထမဆုံး 2nm Process Chip ၏ တိုးတက်မှုကို ကြေငြာခဲ့သည်။
ဆီမီးကွန်ဒတ်တာစက်မှုလုပ်ငန်းတွင် ဆက်လက်ဖြစ်ပေါ်နေသောစိန်ခေါ်မှုမှာ သေးငယ်သော၊ ပိုမြန်သော၊ ပိုအားကောင်းပြီး စွမ်းအင်သက်သာသော မိုက်ခရိုချစ်ပ်များကို တစ်ပြိုင်နက်တည်း ထုတ်လုပ်ရန်ဖြစ်သည်။ယနေ့ခေတ် ပါဝါစက်များတွင် အသုံးပြုသည့် ကွန်ပျူတာ ချစ်ပ်အများစုသည် 10- သို့မဟုတ် 7-nanometer လုပ်ငန်းစဉ်နည်းပညာကို အသုံးပြုကြပြီး အချို့သော ထုတ်လုပ်သူများသည် 5-nanometer ချစ်ပ်များကို ထုတ်လုပ်သည်။
2021 ခုနှစ် မေလတွင်၊ United States ၏ IBM ကော်ပိုရေးရှင်းသည် ကမ္ဘာ့ပထမဆုံး 2nm process chip ၏ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုကို ကြေညာခဲ့သည်။ချစ်ပ်ထရန်စစ္စတာသည် အနိမ့်ဆုံးအရွယ်အစားကိုသတ်မှတ်ရန် အနိမ့်ဆုံးအရွယ်အစားကိုသတ်မှတ်ရန် အဆင့်မြင့်ဆုံးအလွန်အမင်းခရမ်းလွန်ရောင်ခြည်သုံးနည်းပညာကိုအသုံးပြု၍ (GAA) ပတ်ပတ်လည်ရှိ သုံးလွှာနာနိုမီတာတံခါးပေါက်ဒီဇိုင်းကိုလက်ခံသည်၊၊ transistor gate length သည် 12 nanometers ဖြစ်ပြီး ပေါင်းစပ်သိပ်သည်းဆသည် တစ်စတုရန်းမီလီမီတာလျှင် 333 သန်းအထိရောက်ရှိမည်ဖြစ်သည်။ နှင့် 50 ဘီလီယံပေါင်းစည်းနိုင်သည်။
ထရန်စစ္စတာများကို လက်သည်းခွံအရွယ်အစားရှိသည့် ဧရိယာတွင် ပေါင်းစပ်ထားသည်။7nm ချစ်ပ်များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက 2nm လုပ်ငန်းစဉ် ချစ်ပ်သည် စွမ်းဆောင်ရည် 45% မြှင့်တင်ရန် မျှော်လင့်ထားပြီး စွမ်းအင်သုံးစွဲမှု 75% လျှော့ချကာ မိုဘိုင်းလ်ဖုန်းများ၏ ဘက်ထရီ သက်တမ်းကို လေးဆအထိ တိုးမြှင့်နိုင်ကာ မိုဘိုင်းလ်ဖုန်းကို လေးရက်အထိ ဆက်တိုက် အသုံးပြုနိုင်မည် ဖြစ်သည်။ တစ်ခုတည်းသောအခကြေးငွေဖြင့်။
ထို့အပြင်၊ လုပ်ငန်းစဉ်ချစ်ပ်အသစ်သည် မှတ်စုစာအုပ်ကွန်ပြူတာများ၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို များစွာမြှင့်တင်ပေးနိုင်ပြီး မှတ်စုစာအုပ်ကွန်ပျူတာများ၏ အက်ပလီကေးရှင်းလုပ်ဆောင်နိုင်မှုစွမ်းအားနှင့် အင်တာနက်ဝင်ရောက်မှုအမြန်နှုန်းတို့ကို ပိုမိုကောင်းမွန်စေပါသည်။မောင်းသူမဲ့ကားများတွင်၊ 2nm လုပ်ငန်းစဉ် ချစ်ပ်များသည် အရာဝတ္တုများကို ထောက်လှမ်းနိုင်စွမ်းကို မြှင့်တင်နိုင်ပြီး တုံ့ပြန်မှုအချိန်ကို တိုစေကာ၊ ၎င်းသည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာနယ်ပယ်ကို ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်စေပြီး Moore's Law ၏ ဒဏ္ဍာရီကို ဆက်လက်လုပ်ဆောင်မည်ဖြစ်သည်။IBM သည် 2027 ခုနှစ်တွင် 2nm လုပ်ငန်းစဉ် ချစ်ပ်များ အမြောက်အမြား ထုတ်လုပ်ရန် စီစဉ်ထားသည်။
စာတိုက်အချိန်- သြဂုတ်-၀၁-၂၀၂၂