အမေရိကန်ပြည်ထောင်စုသည် chip heating ကိုဖိနှိပ်ရန်အတွက်မြင့်မားသောအပူစီးကူးမှုနှင့်အတူတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းပစ္စည်းများကိုတီထွင်ခဲ့သည်။
ချစ်ပ်ရှိ ထရန်စစ္စတာ အရေအတွက် တိုးလာသည်နှင့်အမျှ ကွန်ပျူတာ၏ ကွန်ပြူတာ စွမ်းဆောင်ရည်သည် ဆက်လက် တိုးတက်နေသော်လည်း မြင့်မားသော densification သည်လည်း hot spots အများအပြားကို ထုတ်လုပ်ပေးပါသည်။
သင့်လျော်သောအပူစီမံခန့်ခွဲမှုနည်းပညာမရှိဘဲ၊ ပရိုဆက်ဆာ၏လည်ပတ်နှုန်းကို နှေးကွေးစေသည့်အပြင် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို လျှော့ချပေးသည့်အပြင် အပူလွန်ကဲခြင်းကိုကာကွယ်ရန်နှင့် အပိုစွမ်းအင်လိုအပ်ပြီး စွမ်းအင်မလုံလောက်မှုပြဿနာများကို ဖန်တီးပေးသည့် အကြောင်းရင်းများလည်းရှိပါသည်။ ဤပြဿနာကိုဖြေရှင်းရန်အတွက် ကယ်လီဖိုးနီးယားတက္ကသိုလ်၊ လော့စ်အိန်ဂျလိစ်မှ 2018 ခုနှစ်တွင် အလွန်မြင့်မားသောအပူစီးကူးနိုင်သော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းအသစ်ကို တီထွင်ခဲ့ပြီး၊ အပြစ်အနာအဆာကင်းသော ဘိုရွန် အာဆင်းနိုက်နှင့် ဘိုရွန်ဖော့စဖိုက်တို့ပါဝင်ကာ လက်ရှိအပူကို စွန့်ထုတ်သည့်ပစ္စည်းများနှင့် ဆင်တူသည်။ စိန်နှင့် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်။ အချိုးအစားသည် အပူစီးကူးမှုထက် ၃ ဆ ပိုများသည်။
2021 ခုနှစ် ဇွန်လတွင် ကယ်လီဖိုးနီးယားတက္ကသိုလ်၊ လော့စ်အိန်ဂျလိစ်တက္ကသိုလ်သည် ပါဝါမြင့်ကွန်ပြူတာချစ်ပ်များနှင့် ပေါင်းစပ်ရန်အတွက် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းအသစ်များကို အသုံးပြုကာ ချစ်ပ်များ၏ အပူထုတ်လုပ်မှုကို အောင်မြင်စွာနှိမ်နင်းနိုင်ကာ ကွန်ပျူတာစွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ပေးခဲ့သည်။ သုတေသနအဖွဲ့သည် အပူစုပ်ထုတ်ခြင်းအကျိုးသက်ရောက်မှုကို ပိုမိုကောင်းမွန်စေရန် ချစ်ပ်နှင့် အပူစုပ်ခွက်ကြားရှိ ဘိုရွန် အာဆင်းနိုက်တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာအား ထည့်သွင်းကာ အမှန်တကယ်စက်ပစ္စည်း၏ အပူပိုင်းစီမံခန့်ခွဲမှုစွမ်းဆောင်ရည်ကို သုတေသနပြုခဲ့သည်။
ဘိုရွန် အာဆင်းနိုက် အလွှာကို ကျယ်ပြန့်သော စွမ်းအင်ကွာဟချက် ဂါလီယမ်နိုက်ထရိတ် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာနှင့် ချိတ်ဆက်ပြီးနောက်၊ ဂယ်လီယမ်နိုက်ထရိတ်/ဘိုရွန် အာဆင်းနိုက် အင်တာဖေ့စ်၏ အပူစီးကူးမှုသည် 250 MW/m2K အထိ မြင့်မားကြောင်း အတည်ပြုခဲ့ပြီး မျက်နှာပြင် အပူဒဏ်ခံနိုင်ရည်မှာ အလွန်သေးငယ်သည့် အဆင့်သို့ ရောက်ရှိသွားကြောင်း အတည်ပြုခဲ့သည်။ ဘိုရွန် အာဆင်းနိုက်အလွှာကို အလူမီနီယမ် ဂယ်လီယမ်နိုက်ထရိတ်/ဂယ်လီယံနိုက်ထရိတ်ဖြင့် ပေါင်းစပ်ထားသော အဆင့်မြင့် အီလက်ထရွန် ရွေ့လျားနိုင်မှု ထရန်စစ္စတာ ချစ်ပ်ပြားနှင့် ထပ်လောင်းပေါင်းစပ်ထားပြီး အပူပေးဝေမှုအကျိုးသက်ရောက်မှုသည် စိန် သို့မဟုတ် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ထက် သိသိသာသာ ကောင်းမွန်ကြောင်း အတည်ပြုထားသည်။
သုတေသနအဖွဲ့သည် အမြင့်ဆုံးစွမ်းရည်ဖြင့် ချစ်ပ်ကိုလည်ပတ်ပြီး အခန်းအပူချိန်မှ အမြင့်ဆုံးအပူချိန်အထိ တိုင်းတာသည်။ စမ်းသပ်မှုရလဒ်များအရ စိန်အပူစုပ်ခွက်၏ အပူချိန်မှာ ၁၃၇ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်၊ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အပူစုပ်ခွက်သည် ၁၆၇ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်နှင့် ဘိုရွန်အာဆင်းနိုက်အပူစုပ်ခွက်သည် ၈၇ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်သာရှိကြောင်း သိရသည်။ ဤအင်တာဖေ့စ်၏အလွန်ကောင်းမွန်သောအပူစီးကူးမှုသည် boron arsenide ၏ထူးခြားသော phononic တီးဝိုင်းဖွဲ့စည်းပုံနှင့် interface ၏ပေါင်းစပ်မှုမှလာသည်။ ဘိုရွန် အာဆင်းနိုက် ပစ္စည်းသည် မြင့်မားသော အပူစီးကူးရုံသာမက သေးငယ်သော မျက်နှာပြင် အပူဒဏ်ကိုလည်း ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။
ပိုမိုမြင့်မားသော စက်လည်ပတ်မှုပါဝါရရှိရန် ၎င်းကို အပူစုပ်ခွက်အဖြစ် အသုံးပြုနိုင်သည်။ ၎င်းကို အနာဂတ်တွင် ခရီးဝေး၊ စွမ်းရည်မြင့် ကြိုးမဲ့ဆက်သွယ်မှုတွင် အသုံးပြုရန် မျှော်လင့်ပါသည်။ ၎င်းကို ကြိမ်နှုန်းမြင့်မားသော ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများ သို့မဟုတ် အီလက်ထရွန်နစ်ထုပ်ပိုးမှုနယ်ပယ်တွင် အသုံးပြုနိုင်သည်။
စာတိုက်အချိန်- သြဂုတ်-၀၈-၂၀၂၂